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形核場理論——形核場決定的矯頑力

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形核場理論——形核場決定的矯頑力

在單相的多疇的永磁材料中,一旦形成一個(gè)臨界大小的反磁化疇核,就會迅速地長大,實(shí)現(xiàn)反磁化,形成一個(gè)臨界大小的反磁化疇核所需要的的反磁化場就是材料的矯頑力。

反磁化疇核長大的能量條件如下:

2HMsuodV-γwds-dEd≥2HoMsuodV

由此式可以求得形成一個(gè)臨界大小的反磁化疇核所需要的磁場

Hs=Ho+5π/8uoMs×Υw/d

 

Hs是形核場(或稱為發(fā)動場)也就是矯頑力

當(dāng)反磁化核長大時(shí),設(shè)其疇壁面積增加dS,則疇壁能增加Sdyw,由于反磁化疇核的磁矩與周圍環(huán)境的磁矩方向相反,反磁化核的表面存在自由磁荷,即存在退磁場。當(dāng)反磁化疇核長大時(shí),退磁場能增加dEd。反磁化疇核的長大是疇壁的位移過程,它要克服疇壁位移阻力而做功。疇壁位移克服最大阻力所作的功為2HoMsuodV,其中Ho為臨界磁場。它是反磁化疇核發(fā)生不可逆長大(疇壁不可逆壁移)時(shí)所需要的磁場。該磁場可認(rèn)為是釘扎場。

即Ho=H′pdV為反磁化疇核長大時(shí)體積的增量。反磁化疇核的長大,是在反磁化場的作用下進(jìn)行的,其靜磁場能的變化為2HMsuodV。

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